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このページは、トーメンエレクトロニクストップの中の取扱い製品の中のSTMicroelectronics N.V.のページです。

STMicroelectronics N.V.STマイクロエレクトロニクス社

STMicroelectronics N.V.
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STマイクロエレクトロニクスは、1987年の設立以来、半導体のリーディングカンパニーとして多彩なソリューションを提供しており、コンシューマー、通信、コンピュータ、自動車、産業にイたる広範な領域で活躍する、グローバルな総合半導体メーカーです。

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STマイクロエレクトロニクス社

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注目製品

超小型・超低消費電力で常時動作が可能 6軸モーション・センサ : LSM6DS3

STマイクロエレクトロニクスのLSM6DS3は、3軸加速度センサと3軸ジャイロ・センサを超小型パッケージ(2.5x3x0.86mm LGA)で提供します。
この新しい6軸モーション・センサは、1.8Vの単一電源での動作が可能です。
また、業界最高水準のノイズ特性を実現しながら、最先端技術を通じてシステム電力を効果的に管理し、1mA以下の消費電流でジャイロおよび加速度センサを駆動することができます。
低消費電力でありながら高い性能を維持し、かつ基板面積も節約することができます。

LSM6DS3は、市場で最も容量の大きい「スマート」なFIFO(First-In First-Out)メモリ(8KB)を搭載しており、その容量は競合製品の2倍以上です。
この柔軟なメモリは、システム・プロセッサの起動前により多くのデータ保存・処理が可能なため、システム全体の消費電力を低減することが可能です。
また、Android KおよびLで必要とされるバーチャル・センサ(歩数計、シグニフィカント・モーション、チルト)をLSM6DS3の機能としてサポートしています。

特 長

電源電圧範囲 : 1.71V ~ 3.6V (VDD)
IO電源電圧範囲 : 1.62V ~ 3.6V(VDD_IO)
動作温度範囲 : -40°C ~ +85°C
加速度検出範囲:±2g / ±4g / ±8g / ±16g
ジャイロ検出範囲:±125dps / ±245dps / ±500dps / ±1000dps / ±2000dps
I2C / SPIデジタル・インタフェース
I2C およびSPI(3線式)よりパラレルにデータを読み出すモードをサポート
パッケージ : LGA-14 (2.5x3x0.86mm)

製品情報

注目製品

高耐圧パワー MOSFET - PowerFLAT™ 5x6 HV / VHVで提供

STマイクロエレクトロニクスのPowerFLATTM 5x6 HV / PowerFLAT 5x6 VHVパッケージは、標準的な100V耐圧のPowerFLAT 5x6パッケージと同様のフットプリント (5 x 6mm以内) で、最大650Vまたは800V耐圧での動作を実現するために必要な絶縁距離・空間を提供します。
これは、一般的なDPAKパッケージのフットプリントより52%小さくなっています。

さらに、パッケージの高さはわずか1mmで、基板のサーマル・ビアへの放熱を最大化する大型のエクスポーズド・ドレイン・パッドを備えています。

これらの特長の組み合わせにより、高耐圧性、耐久性、信頼性、およびシステムの電力密度を同時に向上させます。

製品情報

注目製品

SiC パワーMOSFET - 業界最高の温度定格(200℃)を達成

ワイド・バンドギャップ材料の先進的かつ革新的な特性に基づいて、STマイクロエレクトロニクスのシリコン・カーバイド (SiC) MOSFETは、優れたスイッチング性能と1200V耐圧として非常に低い面積辺りのオン抵抗を特徴とし、機器の高効率化・小型化に貢献します。
STは、業界最高の200℃温度定格を特徴とするSiC MOSFETを量産する最初の企業の1社であり、電力変換システムの温度設計の改善をサポートします。
一般的なSi MOSFETと比較して、SiC MOSFETはオン抵抗とスイッチング特性において温度に対する変動が最小化されており、これにより高温環境下における導通・スイッチング損失が大幅に低減されます。

製品情報

■STM8L  リファレンスマニュアルはこちらから ※英語版を正式版としてご参照ください

英語版   STM8L English.pdf

日本語版 STM8L Japanese.pdf

■STM32  リファレンスマニュアルはこちらから ※英語版を正式版としてご参照ください

英語版       STM32 English.pdf

日本語版 STM32 Japanese.pdf


 

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